自R21-11版本，AUTOSAR Classic引入了一个新模块——Memory Access，以提供基于地址作为参数的接口方式，向上层提供能够访问不同存储设备（例如FLASH，EEPROM，RAM等）的能力。
Memory Access模块和Memory驱动在AUTOSAR架构中和过去的Fls/Eep属于同一层，但是区分为了硬件无关部分（也即MemAcc）和硬件相关部分（Mem）。
这样的设计可以满足不同的使用需求，例如：
使用NvM/Fee(Ea)访问基于块的非易失型存储数据
OTA软件升级
一般的基于地址的存储访问
基于此设计，过往的Fls/Eep的功能已经被包括，在未来的设计中将不再包括（笔者注：此为规范文档中说明，实际协议栈如何实现，或者如何保持兼容性，以具体协议栈代码为准）。
对于设备存储，我们一般如上图这样进行物理分段，几个关键词也即page, sector, bank。
一个存储设备能一次操作的最小单位，称之为page，单位为byte，几乎所有的存储设备都无法以单个byte为单位进行操作，所以page定义了一次访问操作的最小byte长度（8bytes/16bytes等等）；基于对应存储设备能力的不同，还会细分为Read Page/Write Page。
为了提高性能，某些存储设备提供同样的单位时间内一次性读写多个page的能力，这样多个page的组合我们称之为page burst。
很多存储设备要求在进行写操作之前必须有擦除操作，为此定义了一个擦除单位的最小长度，称之为sector；sector的大小一般比page大，或者也可以通俗的理解，sector由众多连续的page组成；同样的，也有sector burst的定义，可以在一次擦除请求就可以对多个sector进行擦除。
对于多个连续且大小相同的sector，它们的组合我们成为sector batch；而一组sector batch又组成了bank。在bank范围内，无法在写操作进行的同时并行处理读请求。
MemAcc向上层抽象了底层存储细节，支持将不同存储设备，不连续的地址区域物理地址，映射为地址连续的虚拟存储（逻辑地址空间）。
